| |
Программа
расчета параметров моделей аналоговых компонентов Model Editor
МОП-транзисторы.
В табл. 5.9 приведены паспортные данные МОП-транзистора (MOSFET:
NMOS, PMOS), вводимые пользователем, и список параметров его математической
модели третьего уровня (LEVEL = 3), которые рассчитываются в программе.
Расчет параметров математических моделей отечественных МОП-транзисторов
с помощью программы Model Editor затруднен ввиду того, что в паспортных
данных отсутствуют значения зарядов Qg, Qgs.
Таблица 5.9. МОП-транзисторы
|
Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
|
Имя |
Значение по умолчанию |
||||
|
Transconductance (Передаточная проводимость) |
|||||
|
Id, gFS |
Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока
Id |
RS
КР W L |
20*10- 3 20*10- 6 * 0,5 2*10-
6 |
||
|
Transfer Curve (Проходная характеристика) |
|||||
|
Vgs, Id |
Зависимость тока стока Id от смещения затвор-исток Vgs
|
VTO |
3 В |
||
|
Rds (on) Resistance (Сопротивление канала в состоянии
«включено») |
|||||
|
Id |
Ток стока |
RD |
10- 3 Ом |
||
|
Rds |
Статическое сопротивление сток-исток |
||||
|
Vgs |
Смещение затвор-исток |
||||
|
Zero-Bias Leakage (Сопротивление утечки канала при нулевом
смещении на затворе) |
|||||
|
Idss |
Ток стока при нулевом потенциале затвора и напряжении
Yds |
RDS |
1 МОм |
||
|
Yds |
Смещение сток-исток при измерении тока Idss |
||||
|
Turn-On Charge (Объемный заряд в состоянии «включено»)
|
|||||
|
Qgd |
Общий заряд области затвора |
CGSO CGDO |
40 пФ
10 пФ |
||
|
Qgs |
Заряд области затвор-исток, необходимый для переключения
|
||||
|
Yds |
Постоянный потенциал истока (по умолчанию 50 В) |
||||
|
Id |
Ток стока (по умолчанию 50 А) |
||||
|
Output Capacitance (Выходная емкость) |
|||||
|
Yds, Coss |
Зависимость выходной емкости Coss от смещения сток-исток
Yds |
CBD РВ MJ FC* |
1 нФ 0,8 В 0,5 0,5 |
||
|
Switching Time (Время переключения) |
|||||
|
tf |
Время переключения |
RG |
5 Ом |
||
|
Id |
Ток стока |
||||
|
Vdd |
Постоянный потенциал истока (по умолчанию 20 В) |
||||
|
Zo |
Выходное сопротивление генератора импульсного напряжения
(по умолчанию 5 Ом) |
||||
|
Reverse Drain Current (Ток стока в инверсном режиме) |
|||||
|
Vsd, Idr |
Зависимость напряжения прямого смещения перехода исток-сток
Vsd от обратного тока стока Idr |
IS N RB |
10- 15 А 1 10- 3 Ом |
||
Основные аспекты архитектурного проектирования программы ArchiCAD
Работа над большими проектами часто требует запоминания многочисленных проекций для быстрого доступа. ArchiCAD позволяет сохранять любое количество проекций и обозревать ваш проект с помощью планшета изображений.
| Магнитное поле, электромагнитное взаимодействие Основы специальной теории относительности Развитие представлений о природе света Электромагнитная теория света Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта Магнитные свойства атомов Электротехника краткий справочник Законы Ома и Кирхгофа для электрической цепи Примеры решения задач по электротехнике Теоретические основы электротехники ТОЭ Метод узловых потенциалов Метод контурных токов Баланс мощностей Резонанс напряжений и токов Лабораторные и курсовые работы Учебник по схемотехнике, альбом схем Курс лекций по атомной физике |