Программа расчета параметров моделей аналоговых компонентов
Model Editor
МОП-транзисторы.
В табл. 5.9 приведены паспортные данные МОП-транзистора (MOSFET: NMOS, PMOS),
вводимые пользователем, и список параметров его математической модели третьего
уровня (LEVEL = 3), которые рассчитываются в программе.
Расчет параметров математических
моделей отечественных МОП-транзисторов с помощью программы Model Editor затруднен
ввиду того, что в паспортных данных отсутствуют значения зарядов Qg, Qgs.
Таблица 5.9. МОП-транзисторы
|
Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели | |||
| Имя | Значение по умолчанию
| ||||
|
Transconductance (Передаточная проводимость) | |||||
| Id, gFS |
Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока Id |
RS КР
W L |
20*10- 3 20*10- 6 * 0,5 2*10- 6 | ||
|
Transfer Curve (Проходная характеристика) | |||||
| Vgs, Id |
Зависимость тока стока Id от смещения затвор-исток Vgs |
VTO |
3 В | ||
|
Rds (on) Resistance (Сопротивление канала в состоянии «включено»)
| |||||
| Id |
Ток стока |
RD |
10- 3 Ом | ||
| Rds |
Статическое сопротивление сток-исток | ||||
| Vgs |
Смещение затвор-исток | ||||
|
Zero-Bias Leakage (Сопротивление утечки канала при нулевом смещении на затворе)
| |||||
| Idss |
Ток стока при нулевом потенциале затвора и напряжении Yds |
RDS |
1 МОм | ||
| Yds |
Смещение сток-исток при измерении тока Idss | ||||
|
Turn-On Charge (Объемный заряд в состоянии «включено») | |||||
| Qgd |
Общий заряд области затвора |
CGSO CGDO |
40 пФ
10 пФ | ||
| Qgs |
Заряд области затвор-исток, необходимый для переключения | ||||
| Yds |
Постоянный потенциал истока (по умолчанию 50 В) | ||||
| Id |
Ток стока (по умолчанию 50 А) | ||||
|
Output Capacitance (Выходная емкость) | |||||
| Yds, Coss | Зависимость выходной емкости
Coss от смещения сток-исток Yds |
CBD РВ MJ FC* |
1 нФ 0,8 В 0,5 0,5 | ||
|
Switching Time (Время переключения) | |||||
| tf |
Время переключения |
RG |
5 Ом | ||
| Id |
Ток стока | ||||
| Vdd |
Постоянный потенциал истока (по умолчанию 20 В) | ||||
| Zo |
Выходное сопротивление генератора импульсного напряжения (по умолчанию 5 Ом) | ||||
|
Reverse Drain Current (Ток стока в инверсном режиме) | |||||
| Vsd, Idr | Зависимость напряжения
прямого смещения перехода исток-сток Vsd от обратного тока стока Idr | IS N RB |
10- 15 А 1 10- 3 Ом | ||
Основные аспекты архитектурного проектирования программы ArchiCAD
Работа над большими проектами часто требует запоминания многочисленных проекций для быстрого доступа. ArchiCAD позволяет сохранять любое количество проекций и обозревать ваш проект с помощью планшета изображений.
| Магнитное поле, электромагнитное взаимодействие
Основы специальной теории относительности
Развитие представлений о природе света Электромагнитная
теория света
Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта Магнитные
свойства атомов
Электротехника краткий справочник Законы
Ома и Кирхгофа для электрической цепи Примеры решения
задач по электротехнике
Теоретические основы электротехники ТОЭ Метод
узловых потенциалов Метод
контурных токов
Баланс мощностей Резонанс
напряжений и токов Лабораторные и курсовые работы
Учебник по схемотехнике, альбом схем Курс
лекций по атомной физике
|